Flash pamäť je forma technológie semi-pass a elektrickej preprogramovateľnej pamäte. Rovnaký koncept možno použiť v elektronických obvodoch na označenie technologicky úplných riešení. V každodennom živote je tento koncept pevný pre širokú triedu polovodičových zariadení na ukladanie informácií.
Nevyhnutné
USB flash disk, počítač s pripojením na internet
Inštrukcie
Krok 1
Princíp fungovania tejto technológie je založený na zmenách a registráciách v izolovaných oblastiach elektrického náboja v polovodičovej štruktúre. Zmena takého náboja, teda jeho zaznamenávanie a mazanie, nastáva pomocou aplikácie umiestnenej medzi zdrojom a bránou jeho väčšieho potenciálu. Medzi tranzistorom a kapsou v tenkom dielektrickom poli sa teda vytvorí dostatočná sila elektrického poľa. Takto vzniká tunelový efekt.
Krok 2
Pamäťové prostriedky sú založené na zmene nabitia. Niekedy sa spája s kumulatívnym účinkom nezvratných javov v jeho štruktúre. Preto je počet záznamov pre bleskovú bunku obmedzený. Toto číslo pre MLC je zvyčajne 10 tisíc jednotiek a pre SLC - až 100 tisíc jednotiek.
Krok 3
Čas uchovania údajov je určený tým, ako dlho sú poplatky uložené, čo zvyčajne uvádza väčšina výrobcov výrobkov pre domácnosť. Nepresahuje to desať až dvadsať rokov. Aj keď výrobcovia poskytujú záruku iba na prvých päť rokov. Je však potrebné poznamenať, že zariadenia MLC majú kratšie obdobia uchovania údajov ako zariadenia SLC.
Krok 4
Hierarchickú štruktúru flash pamäte vysvetľuje nasledujúci fakt. Procesy, ako je zápis a mazanie, ako aj čítanie informácií z jednotky flash, sa vyskytujú vo veľkých blokoch rôznych veľkostí. Napríklad vymazávací blok je väčší ako blok zápisu, ktorý je zase menší ako blok čítania. Toto je charakteristická vlastnosť flash pamäte od tej klasickej. Vďaka tomu majú všetky jeho mikroobvody výraznú hierarchickú štruktúru. Pamäť je teda rozdelená na bloky a tie na sektory a stránky.
Krok 5
Rýchlosť mazania, čítania a zápisu je iná. Napríklad rýchlosť mazania sa môže pohybovať od jednej do stoviek milisekúnd. Závisí to od veľkosti vymazávaných informácií. Rýchlosť záznamu je desiatky alebo stovky mikrosekúnd. Rýchlosť čítania sú zvyčajne desiatky nanosekúnd.
Krok 6
Vlastnosti použitia flash pamäte sú diktované jej vlastnosťami. Je povolené vyrábať a predávať mikroobvody s ľubovoľným počtom chybných pamäťových buniek. Aby bolo toto percento nižšie, každá stránka je vybavená malými ďalšími blokmi.
Krok 7
Slabým miestom flash pamäte je, že počet cyklov prepisovania na jednej stránke je obmedzený. Situácia sa ešte zhoršuje, pretože súborové systémy často zapisujú na rovnaké pamäťové miesto.
